Außergewöhnliche Tripath Verstärker von Pop Pulse

[Rainer]

Hab mal die benötigten Daten für einen im Kunststoff-Gehäuse vergossenen 500VA Trafo mit max. 230mm Durchmesser und 65mm Höhe in den Konfigurator eingetakert und abgeschickt. Mal abwarten, was die so schreiben. Mache sowas auch zum ersten mal.

Die Steckverbinder sind da erstmal noch nicht enthalten. Bieten sie aber bei Bedarf mit an. Da könnte man die vorhandenen nutzen und ancrimpen/löten.

[Macuilxochitl]

Danke dir. Bin gespannt.

[t g]

hey mann,

am Klang hat sich für meine Ohren nichts verändert.

jetzt bin ich beruhigt.. ehrlich. das wär auch schwer erklärbar gewesen.

Mit einigen Mosfets bekommt man auch noch wesentlich mehr Leistung raus (das Maximum mit IRFB4115), aber da steigt dann wieder das shoot through und damit der Ruhestrom.

neben den anderen damit zusammenhängenden "kleinen" problemen bräuchtest du dafür aber höhere rail spannung.

Das Tränken des Trafos hat weniger gebracht als ich hoffte und empfehlen würde ich es nur für technisch erfahrene. Immerhin ist das Brummen jetzt auf einem akzeptablen Niveau für mich.

ja, ist wohl trial and error. bei meinem wars ja nicht nur akzeptabel.. perfekt aber auch nicht.

Die Firma Müller-Rondo fertigt vergossene Ringkerntrafos an. Das ist wohl die bessere Option, wenn auch viel teurer:
https://www.mueller-rondo.com/anfrage/#C...sage-title

das gibts ja gar nicht, ich muß so ca aller zwei monate durch rodewisch fahren. bisher noch nicht davon gehört. cool. bin auch gespannt was die für ne marke aufrufen.

Mit Class T Marketing-Sprech bei Tripath hattest du schon Recht.  
International Rectifier hatte 2003 auch schon "fully digitally processed modulator" Designs mit über 400kHz PWM am Start, um Class D endlich Hifi-tauglich zu machen.
Hier ausführlichst erklärt:
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-C...e8bb7b5297

hast recht, die fundamentalen dinge sind recht gut erklärt in dieser präsentation. aber halt auch recht in die jahre gekommen.

Was aber immer noch nicht den überlegenen Tripath-Sound erklärt.

so isses.

[Rainer]

neben den anderen damit zusammenhängenden "kleinen" problemen bräuchtest du dafür aber höhere rail spannung.

Welche anderen kleinen Probleme meinst du, ausser höheren Ruhestrom?

[t g]

hey rainer,
ich meinte eigentlich, daß man mit dem tausch eines leistungsfähigeren fet keine leistungssteigerung hinbekommt. ok, minimalst vielleicht wenn dadurch "per zufall" die unvermeidbaren verluste kleiner werden. wie mit deinem bsp wo der neue fet es nun verlockend klingen lässt die rail spannung zu erhöhen. und das ist durch die vielen smps am markt formal auch simpel genug.
aber da wirds nun richtig komplex bei class-d. da existieren vielschichtige gegenseitige abhängigkeiten der einzelnen module und parameter. bei höherer rail muß man z.b. die treiber/level shifter anpassen. dead-time handling sowieso wie auch die closed loop parameter. wenn ich mich recht erinnere, hat tripath im refenrenz design des 3020 von "ähnlichen" fets gesprochen aber nur hinweise zum einstellen der dead time gegeben. weiteres geht da nicht.
wesentliche variablen sind der drain-source durchlass widerstand (conduction losses), schaltfrequenz/parasitäre caps im ausgangsmodul/fet übergangsschaltzeiten (switching losses), body diode source-drain spannung/totzeit/max reverse current/reverse recovery time (body diode losses). das meiste davon ist direkt mit den parametern des fets verbunden - gate capazitäten zu source+drain (und damit die fähigkeiten des treibers/shifters das bedienen können für die fets), slew rates bei 5000V/µs sind eher üblich... ect pp
ich erinnere mich, daß du vor einiger zeit mal zusätzliche body dioden extern an die fets vom satisfaction angebracht hast. damals konnte ich nicht mehr dazu sagen als das die fets schon welche drin haben. heute würde ich dringend davon abraten ! das kann recht negative auswirkungen haben, wie die body diode losses und insbesondere auf die nicht so trivial sichtbaren dinge wie das EMI spektrum. das ist ein weites feld...

[berny]

Hallo Tripath -Freunde

Aus privaten Gründen werde ich meinen   POP/PULSE  verkaufen.

Funktioniert  1 A  .

Gruß berny

[t g]

hi rainer,
gibts schon ne aussage von müller rondo ?

[Rainer]

Ist noch in Arbeit. Bei so einem Familienbetrieb braucht man Geduld.

[t g]

und gleich noch was anderes:
ich bin endlich mal dazu gekommen die fets zu vergleichen..
der von dir gefundene IRFB.. und der im eigentakt eingesetzte FDP.. unterscheiden sich wenig, zumindest was die veröffentlichten specs hergeben. zum ursprünglichen im poppy eingesetzten STW sind beide aber signifikant verschieden. nicht in den grenzwerten, sondern in wichtigen funktionswerten für die verlustleistung.
beim STW ist R(drain-source on max) -durchlass widertsand im offenen zustand- fast 50% größer und Q(gate) -aufzubringende schaltladung am gate- genau 50% größer. interessanterweise verhalten sich gearde diese beiden werte aber indirekt proportional zueinander. also eigentlich kann man nur einen dieser werte optimieren zu lasten des anderen. beide werte gehen direkt in die berechnung der ges. verlustleistung ein. die bestimmenden summanden sind hier conduction loss + switching loss + body diode loss + amp ruhestrom verlust.
o.g. R geht direkt proportional in den conduction loss ein (P~I*I*R), logisch, kleinerer widerstand = weniger energie verlust. o.g. Q bestimmt den term switching loss (ist ein sehr komplexer ausdruck mit diversen abhängigkeiten wie  schaltfrequenz, slew rate, parasitic caps, ect). im wesentlichen stecken hier übergangsverluste beim wechsel der on/off zustände und das laden/entladen von vorhandenen parasitäten caps drin. diese beiden besseren werte führen allein schon zu geringerer verlustleistung.
interessant sind auch die losses bzgl der body diode, hier gehen leitvermögen und reverse recovery max strom und -zeit,  sowie das gesamte totzeit handling ein. deren dafür relevanten werte t(reverse recovery) und Q(r.r.) sind bei den IRFB und FDP gleich um größenordnungen besser als beim STW.
insgesamt also eine win-win-win situation ;-) was die abwärme im poppy betrifft.

wenn ich mich recht erinnere hast du früher beim STW mal mit dem totzeit management (break before make werte des 3020) experimentiert und warst dann doch bei 80ns gelandet. richtig ? mit den neuen fet's könnte man vielleicht auf grund der "besseren" schaltfähigkeiten auf 40ns runter gehen. lt. tripath 3020 referenz design bedeuten geringere bbm werte ja weniger verzerrung aber auch u.u. höhere verluste udn shoot through. ein versuch wäre es wert, kann ja nichts kaputt gehen - der 3020 hat ja nen guten overcurrent schutz drin ;-)  bock drauf ?

sorry leutz.. die obigen "streichungen" sind auf die schnelle falsch rumgekommen, wollte es eigentlich anders formulieren.
richtig müßte es heißen: 'fast zweimal größer' und 'genau zweimal größer'
(korrektur 22.04.24 09:50)

[Rainer]

Was anderes als die 120ns hab ich nie probiert. Mir ging es bei meinen Mosfet-Experimenten ja auch nur darum, die Temperatur runter zu bekommen. Und dafür ist der IRFB5615 ideal und mit 76 Cent pro Stck. bei Voelkner auch noch richtig preiswert. Geringere Totzeit-Einstellungen führen mit Sicherheit wieder zu wesentlich mehr Ruhestrom und Temperatur. Den theoretischen Gewinn an THD wird die schlechte Wärmeabfuhr wahrscheinlich verhindern.