13.05.2025, 23:49
hi allesamt hier,
ja, GaN (GalliumNitrid) ist seit einiger zeit am markt und noch relativ teuer. dieses halbleiter material hat den vorteil mit recht hohen spannungen umgehen zu können und - vorallem - ist er frei vom problem der reverse recovery zeiten und ladungen ! SiC (SiliziumCarbid) halbleiter ist eune ähnliche neuentwicklung (neu ist natürlich immer relativ), eher für die leistungselektronik für extrem hohe spannungen aber mit doch >0 reverse recovery daten.
bei normalen Si dioden verwendet man gern "schnelle" typen. das meint geringe reverse recovery zeiten. je kleiner um so weniger "ringing" haben die halbwellen nach einer greatz-brücken gleichrchtung. also um so formal sauberer sind die halbwellen (enhalten weniger hochfrequente komponenten im sprektrum).
bei den im class-d immer vorandenen 2 oder 4 schalt-mosfets in der leistungstufe ist das von imenser bedeutung. genauer bei der immer im mosfet enthaltenen sog. body diode. die ist der grund für RF erzeugung. der muß man dann schaltungstechnisch beikommen, was nur in grenzen geht. bei GaN schaltern kann man auf die body diode verzichten und RF wird die quasi gar nicht erst erzeugt. zudem ist der schaltvorgang exakter, ergibt so sauberere rechteck formen und erlaubt geringere deadtimes (hat positive auswirkung auf effiziens und signalqualität).
soweit mir bekannt, gibt es aber noch keine treiber in GaN. und nur die schalt-fet in GaN zu verwenden ist m.e. nur die halbe miete. vielleicht kann man ja aber dadurch schon den gesamten schaltungsaufwand minimieren und so kostengünstiger werden... k.a.
ich warte da lieber bis der herr putzeys ein voll-GaN modul rausbringt. denn so einfach ists wohl auch nicht das alles sauber zu designen, parasitäre kapazitäten und induktivitäten spielen da auch noch eine rolle..
m.e. ist aber auf jeden die GaN geschichte der nächste schritt in der entwicklung in richtung zu noch mehr nullen nach dem komma.. wozu man das acuh immer braucht..
ja, GaN (GalliumNitrid) ist seit einiger zeit am markt und noch relativ teuer. dieses halbleiter material hat den vorteil mit recht hohen spannungen umgehen zu können und - vorallem - ist er frei vom problem der reverse recovery zeiten und ladungen ! SiC (SiliziumCarbid) halbleiter ist eune ähnliche neuentwicklung (neu ist natürlich immer relativ), eher für die leistungselektronik für extrem hohe spannungen aber mit doch >0 reverse recovery daten.
bei normalen Si dioden verwendet man gern "schnelle" typen. das meint geringe reverse recovery zeiten. je kleiner um so weniger "ringing" haben die halbwellen nach einer greatz-brücken gleichrchtung. also um so formal sauberer sind die halbwellen (enhalten weniger hochfrequente komponenten im sprektrum).
bei den im class-d immer vorandenen 2 oder 4 schalt-mosfets in der leistungstufe ist das von imenser bedeutung. genauer bei der immer im mosfet enthaltenen sog. body diode. die ist der grund für RF erzeugung. der muß man dann schaltungstechnisch beikommen, was nur in grenzen geht. bei GaN schaltern kann man auf die body diode verzichten und RF wird die quasi gar nicht erst erzeugt. zudem ist der schaltvorgang exakter, ergibt so sauberere rechteck formen und erlaubt geringere deadtimes (hat positive auswirkung auf effiziens und signalqualität).
soweit mir bekannt, gibt es aber noch keine treiber in GaN. und nur die schalt-fet in GaN zu verwenden ist m.e. nur die halbe miete. vielleicht kann man ja aber dadurch schon den gesamten schaltungsaufwand minimieren und so kostengünstiger werden... k.a.
ich warte da lieber bis der herr putzeys ein voll-GaN modul rausbringt. denn so einfach ists wohl auch nicht das alles sauber zu designen, parasitäre kapazitäten und induktivitäten spielen da auch noch eine rolle..
m.e. ist aber auf jeden die GaN geschichte der nächste schritt in der entwicklung in richtung zu noch mehr nullen nach dem komma.. wozu man das acuh immer braucht..
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vg tg
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