21.04.2024, 23:43
und gleich noch was anderes:
ich bin endlich mal dazu gekommen die fets zu vergleichen..
der von dir gefundene IRFB.. und der im eigentakt eingesetzte FDP.. unterscheiden sich wenig, zumindest was die veröffentlichten specs hergeben. zum ursprünglichen im poppy eingesetzten STW sind beide aber signifikant verschieden. nicht in den grenzwerten, sondern in wichtigen funktionswerten für die verlustleistung.
beim STW ist R(drain-source on max) -durchlass widertsand im offenen zustand- fast 50% größer und Q(gate) -aufzubringende schaltladung am gate- genau 50% größer. interessanterweise verhalten sich gearde diese beiden werte aber indirekt proportional zueinander. also eigentlich kann man nur einen dieser werte optimieren zu lasten des anderen. beide werte gehen direkt in die berechnung der ges. verlustleistung ein. die bestimmenden summanden sind hier conduction loss + switching loss + body diode loss + amp ruhestrom verlust.
o.g. R geht direkt proportional in den conduction loss ein (P~I*I*R), logisch, kleinerer widerstand = weniger energie verlust. o.g. Q bestimmt den term switching loss (ist ein sehr komplexer ausdruck mit diversen abhängigkeiten wie schaltfrequenz, slew rate, parasitic caps, ect). im wesentlichen stecken hier übergangsverluste beim wechsel der on/off zustände und das laden/entladen von vorhandenen parasitäten caps drin. diese beiden besseren werte führen allein schon zu geringerer verlustleistung.
interessant sind auch die losses bzgl der body diode, hier gehen leitvermögen und reverse recovery max strom und -zeit, sowie das gesamte totzeit handling ein. deren dafür relevanten werte t(reverse recovery) und Q(r.r.) sind bei den IRFB und FDP gleich um größenordnungen besser als beim STW.
insgesamt also eine win-win-win situation ;-) was die abwärme im poppy betrifft.
wenn ich mich recht erinnere hast du früher beim STW mal mit dem totzeit management (break before make werte des 3020) experimentiert und warst dann doch bei 80ns gelandet. richtig ? mit den neuen fet's könnte man vielleicht auf grund der "besseren" schaltfähigkeiten auf 40ns runter gehen. lt. tripath 3020 referenz design bedeuten geringere bbm werte ja weniger verzerrung aber auch u.u. höhere verluste udn shoot through. ein versuch wäre es wert, kann ja nichts kaputt gehen - der 3020 hat ja nen guten overcurrent schutz drin ;-) bock drauf ?
sorry leutz.. die obigen "streichungen" sind auf die schnelle falsch rumgekommen, wollte es eigentlich anders formulieren.
richtig müßte es heißen: 'fast zweimal größer' und 'genau zweimal größer'
(korrektur 22.04.24 09:50)
ich bin endlich mal dazu gekommen die fets zu vergleichen..
der von dir gefundene IRFB.. und der im eigentakt eingesetzte FDP.. unterscheiden sich wenig, zumindest was die veröffentlichten specs hergeben. zum ursprünglichen im poppy eingesetzten STW sind beide aber signifikant verschieden. nicht in den grenzwerten, sondern in wichtigen funktionswerten für die verlustleistung.
beim STW ist R(drain-source on max) -durchlass widertsand im offenen zustand- fast 50% größer und Q(gate) -aufzubringende schaltladung am gate- genau 50% größer. interessanterweise verhalten sich gearde diese beiden werte aber indirekt proportional zueinander. also eigentlich kann man nur einen dieser werte optimieren zu lasten des anderen. beide werte gehen direkt in die berechnung der ges. verlustleistung ein. die bestimmenden summanden sind hier conduction loss + switching loss + body diode loss + amp ruhestrom verlust.
o.g. R geht direkt proportional in den conduction loss ein (P~I*I*R), logisch, kleinerer widerstand = weniger energie verlust. o.g. Q bestimmt den term switching loss (ist ein sehr komplexer ausdruck mit diversen abhängigkeiten wie schaltfrequenz, slew rate, parasitic caps, ect). im wesentlichen stecken hier übergangsverluste beim wechsel der on/off zustände und das laden/entladen von vorhandenen parasitäten caps drin. diese beiden besseren werte führen allein schon zu geringerer verlustleistung.
interessant sind auch die losses bzgl der body diode, hier gehen leitvermögen und reverse recovery max strom und -zeit, sowie das gesamte totzeit handling ein. deren dafür relevanten werte t(reverse recovery) und Q(r.r.) sind bei den IRFB und FDP gleich um größenordnungen besser als beim STW.
insgesamt also eine win-win-win situation ;-) was die abwärme im poppy betrifft.
wenn ich mich recht erinnere hast du früher beim STW mal mit dem totzeit management (break before make werte des 3020) experimentiert und warst dann doch bei 80ns gelandet. richtig ? mit den neuen fet's könnte man vielleicht auf grund der "besseren" schaltfähigkeiten auf 40ns runter gehen. lt. tripath 3020 referenz design bedeuten geringere bbm werte ja weniger verzerrung aber auch u.u. höhere verluste udn shoot through. ein versuch wäre es wert, kann ja nichts kaputt gehen - der 3020 hat ja nen guten overcurrent schutz drin ;-) bock drauf ?
sorry leutz.. die obigen "streichungen" sind auf die schnelle falsch rumgekommen, wollte es eigentlich anders formulieren.
richtig müßte es heißen: 'fast zweimal größer' und 'genau zweimal größer'
(korrektur 22.04.24 09:50)
-----------------------
vg tg
vg tg
