SMSL VMV A1 Pro

[t g]

hi allesamt hier,
ja, GaN (GalliumNitrid) ist seit einiger zeit am markt und noch relativ teuer. dieses halbleiter material hat den vorteil mit recht hohen spannungen umgehen zu können und - vorallem - ist er frei vom problem der reverse recovery zeiten und ladungen ! SiC (SiliziumCarbid) halbleiter ist eune ähnliche neuentwicklung (neu ist natürlich immer relativ), eher für die leistungselektronik für extrem hohe spannungen aber mit doch >0 reverse recovery daten.
bei normalen Si dioden verwendet man gern "schnelle" typen. das meint geringe reverse recovery zeiten. je kleiner um so weniger "ringing" haben die halbwellen nach einer greatz-brücken gleichrchtung. also um so formal sauberer sind die halbwellen (enhalten weniger hochfrequente komponenten im sprektrum).
bei den im class-d immer vorandenen 2 oder 4 schalt-mosfets in der leistungstufe ist das von imenser bedeutung. genauer bei der immer im mosfet enthaltenen sog. body diode. die ist der grund für RF erzeugung. der muß man dann schaltungstechnisch beikommen, was nur in grenzen geht. bei GaN schaltern kann man auf die body diode verzichten und RF wird die quasi gar nicht erst erzeugt. zudem ist der schaltvorgang exakter, ergibt so sauberere rechteck formen und erlaubt geringere deadtimes (hat positive auswirkung auf effiziens und signalqualität).
soweit mir bekannt, gibt es aber noch keine treiber in GaN. und nur die schalt-fet in GaN zu verwenden ist m.e. nur die halbe miete. vielleicht kann man ja aber dadurch schon den gesamten schaltungsaufwand minimieren und so kostengünstiger werden... k.a.
ich warte da lieber bis der herr putzeys ein voll-GaN modul rausbringt. denn so einfach ists wohl auch nicht das alles sauber zu designen, parasitäre kapazitäten und induktivitäten spielen da auch noch eine rolle..
m.e. ist aber auf jeden die GaN geschichte der nächste schritt in der entwicklung in richtung zu noch mehr nullen nach dem komma.. wozu man das acuh immer braucht..

[tripath-test]

Ich muss hier unbedingt meinen Senf loswerden. Also das Ding ist für mich irgendso ein überteuerter Hype - Galliumnitrit hin oder her.
Das Ding wiegt gerade mal 2 kilo und laut einem Shop leistet der gerade mal 10 Watt pro Kanal. Über 500 euro werden für den Schuhkarton aufgerufen. Die Chinesen fangen langsam auch an zu fliegen.

[mannitheear]

Wie kommst du auf 10 W? Der ist doch mit 85 W an 8 Ohm bzw. 160 W an 4 Ohm angegeben. Davon abgesehen, warum sind 1500 Euro für einen Purifi 400 ok aber 530 für den SMSL nicht?

Bin etwas verwirrt.

[t g]

hey so..
ich habe mir grad mal das besagte YT video angetan.. OMG.. wie langweilig und nervig, keine wirklichen aussagen, ständige wiederholungen, schwammige ungenauigkeiten. ich kann mir wenig virstellen, daß sowas jemanden zum kaufen anregt. asocial media typisch halt.. likes und follower sind wichtiger als inhalt.

das ding ist billig, und damit passt dann auch alles. zwei GaN mosfets (und ein wirklich guter volume ic) allein machens aber wohl doch nicht allein.

eberhardt hat es ja schon erwähnt - die bei audiophonics gezeigten kurven sind um größenordnungen schlechter als alle aktuelle Si-mosfets nutzende module von hypex und purifi. das deutet eigentlich eher nur auf ein schlechtes schaltungs- und pcb design hin. oder ?

das die GaN teile sauberer schalten können und kürzere dead times erlauben bleibt unbenommen. ob sich das dann bei dem teil wirklich im hören auswirkt - keine ahnung. ich rede ja hier auch nicht davon. und der typ im video macht es mir schwer ihm das zu glauben.
vielleicht wird ja das neue purifi ein reines GaN teil. und wg der dadurch möglichen mechanisch kleineren strukturen und bauteile ist sicher auch ne ein-platinen variante mit netzteil und amp von purifi drin... hypex machts ja schon in klassischer technik ;-)